產(chǎn)品簡介: ETSys-Map-PV是針對高端薄膜太陽電池研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域中大面積樣品檢測專門設(shè)計(jì)的在線薄膜測量系統(tǒng)。 ETSys-Map-PV用于對1.4m * 1.1m及以上的大面積薄膜太陽電池樣品進(jìn)行在線檢測。可測量光滑平面或粗糙表面基底上的納米薄膜,包括單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k;并可同時(shí)測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。可測量樣品上指定區(qū)域的樣品參數(shù)以及樣品表面的均一性分布。 ETSys-Map-PV融合量拓科技在高精度激光橢偏儀及光伏在太陽能電池領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面的經(jīng)驗(yàn),性能卓越。特點(diǎn):大面積絨面樣品上全表面測量可對大面積絨面薄膜太陽電池樣品上各點(diǎn)的性質(zhì)進(jìn)行分析和比較。先進(jìn)的光能量增強(qiáng)技術(shù)、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號處理方法,實(shí)現(xiàn)了對粗糙表面散射為主和極低反射率為特征的絨面太陽電池表面鍍層的高靈敏檢測。微米量級的全面積掃描精度先進(jìn)的系統(tǒng)設(shè)計(jì),能夠使探頭到達(dá)樣品上每個(gè)點(diǎn),掃描精度達(dá)到微米量級。原子層量級的膜厚分析精度采用非接觸、無破壞性的橢偏測量技術(shù),對納米薄膜達(dá)到極高的測量準(zhǔn)確度和靈敏度,膜厚測量靈敏度可達(dá)到0.05nm。簡單方便安全的儀器操作用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測量和分析過程,數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進(jìn)行高級測量設(shè)置。應(yīng)用: ETSys-Map-PV適合于高精度要求的薄膜太陽電池研發(fā)和質(zhì)量控制。 ETSys-Map-PV可用于測量大面積的薄膜太陽電池樣品上單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k; ETSys-Map-PV可用于測量塊狀材料的折射率n及消光系數(shù)k; ETSys-Map-PV可應(yīng)用于:大面積薄膜太陽電池基底的材料測量薄膜太陽電池玻璃基底上透明導(dǎo)電氧化物(TCO)鍍膜測量 技術(shù)指標(biāo): 項(xiàng)目 技術(shù)指標(biāo)
【福州測量薄膜厚度儀器林州光譜型橢偏儀林州深受廣大客戶青睞一共有★★30★★多種型號以上只顯示1-3種型號,如沒有合適您的產(chǎn)品請咨詢 河北德科機(jī)械設(shè)備有限公司】福州測量薄膜厚度儀器林州光譜型橢偏儀林州深受廣大客戶青睞多種型號內(nèi)容型號:JX200089EX3 自動(dòng)橢圓偏振測厚儀
EX3自動(dòng)橢圓偏振測厚儀是基于消光法(或稱“零橢偏”)測量原理,針對納米薄膜厚度測量領(lǐng)域推出的一款自動(dòng)測量型教學(xué)儀器。與EM22儀器相比,該儀器采用半導(dǎo)體激光器作為光源,穩(wěn)定性好,體積更小。EX3儀器適用于納米薄膜的厚度測量,以及納米薄膜的厚度和折射率同時(shí)測量。EX3儀器還可用于同時(shí)測量塊狀材料(如,金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì))的折射率n和消光系數(shù)k。特點(diǎn):經(jīng)典消光法橢偏測量原理儀器采用消光法橢偏測量原理,易于理解和掌握橢偏測量基本原理和過程。方便安全的樣品水平放置方式采用水平放置樣品的方式,方便樣品的取放。緊湊的一體化結(jié)構(gòu)集成一體化設(shè)計(jì),簡潔的儀器外形通過USB接口與計(jì)算機(jī)相連,方便儀器使用。高穩(wěn)定性光源采用半導(dǎo)體激光器作為探測光的光源,穩(wěn)定性高,噪聲低。豐富實(shí)用的樣品測量功能可測量納米薄膜的膜厚和折射率、塊狀材料的復(fù)折射率等。便捷的自動(dòng)化操作儀器軟件可自動(dòng)完成樣品測量,并可進(jìn)行方便的測量數(shù)據(jù)分析、儀器校準(zhǔn)等操作。安全的用戶使用權(quán)限管理軟件中設(shè)置了用戶使用權(quán)限(包括:管理員、等模式),便于儀器管理和使用?蓴U(kuò)展的儀器功能利用本儀器,可通過適當(dāng)擴(kuò)展,完成多項(xiàng)偏振測量實(shí)驗(yàn),如馬呂斯定律實(shí)驗(yàn)、旋光測量實(shí)、旋光等。應(yīng)用領(lǐng)域:EX3適合于教學(xué)中單層納米薄膜的薄膜厚度測量,也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。EX3可測量的樣品涉及微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等領(lǐng)域。技術(shù)指標(biāo):
項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
儀器型號 | EX3 |
測量方式 | 自動(dòng)測量 |
樣品放置方式 | 水平放置 |
光源 | 半導(dǎo)體激光器,波長635nm |
膜厚測量重復(fù)性* | 0.5nm (對于Si基底上100nm的SiO2膜層) |
膜厚范圍 | 透明薄膜:1-4000nm 吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關(guān) |
折射率范圍 | 1.3 – 10 |
探測光束直徑 | Φ2-3mm |
入射角度 | 30°-90°,精度0.05° |
偏振器方位角讀數(shù)范圍 | 0-360° |
偏振器步進(jìn)角 | 0.014° |
樣品方位調(diào)整 | Z軸高度調(diào)節(jié):16mm 二維俯仰調(diào)節(jié):±4° |
允許樣品尺寸 | 圓形樣品直徑Φ120mm,矩形樣品可達(dá)120mm x 160mm |
配套軟件 | * 用戶權(quán)限設(shè)置 * 多種測量模式選擇 * 多個(gè)測量項(xiàng)目選擇 * 方便的數(shù)據(jù)分析、計(jì)算、輸入輸出 |
外形尺寸 | (入射角度70°時(shí))450*375*260mm |
儀器重量(凈重) | 15Kg |
注:(1)測量重復(fù)性:是指對標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測量30次的標(biāo)準(zhǔn)差。性能保證:ISO9001國際質(zhì)量體系下的儀器質(zhì)量保證專業(yè)的儀器使用培訓(xùn)專業(yè)的橢偏測量原理課程
欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html光譜橢偏儀來源網(wǎng)址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200089.htmlEX3 自動(dòng)橢圓偏振測厚儀型號:JX200098EM12 精致型多入射角激光橢偏儀
EM12是采用量拓科技先進(jìn)的測量技術(shù),針對中端精度需求的研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的精致型多入射角激光橢偏儀。 EM12可在單入射角度或多入射角度下對樣品進(jìn)行準(zhǔn)確測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k;也可用于同時(shí)測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;亦可用于實(shí)時(shí)測量納米薄膜動(dòng)態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了納米薄膜的厚度測量。 EM12采用了量拓科技多項(xiàng)專利技術(shù)。特點(diǎn):次納米量級的高靈敏度國際先進(jìn)的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測量極薄納米薄膜,膜厚精度可達(dá)到0.2nm。1.6秒的快速測量國際水準(zhǔn)的儀器設(shè)計(jì),在保證精度和準(zhǔn)確度的同時(shí),可在1.6秒內(nèi)快速完成一次測量,可對納米膜層生長過程進(jìn)行測量。簡單方便的儀器操作用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測量和分析過程,數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進(jìn)行高級測量設(shè)置。應(yīng)用:EM12適合于中端精度要求的科研和工業(yè)環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。EM12可用于測量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k;可用于同時(shí)測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;可用于實(shí)時(shí)測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。EM12可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括:微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等?蓱(yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括:固體(金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等),或液體(純凈物或混合物)。技術(shù)指標(biāo):
項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
儀器型號 | EM12 |
激光波長 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
膜厚測量重復(fù)性(1) | 0.2nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率測量重復(fù)性(1) | 2x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
單次測量時(shí)間 | 與測量設(shè)置相關(guān),典型1.6s |
的膜層范圍 | 透明薄膜可達(dá)4000nm 吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關(guān) |
光學(xué)結(jié)構(gòu) | PSCA(Δ在0°或180°附近時(shí)也具有極高的準(zhǔn)確度) |
激光光束直徑 | 1-2mm |
入射角度 | 40°-90°可手動(dòng)調(diào)節(jié),步進(jìn)5° |
樣品方位調(diào)整 | Z軸高度調(diào)節(jié):±6.5mm 二維俯仰調(diào)節(jié):±4° 樣品對準(zhǔn):光學(xué)自準(zhǔn)直和顯微對準(zhǔn)系統(tǒng) |
樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達(dá)Φ170mm |
外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時(shí)) |
儀器重量(凈重) | 25Kg |
選配件 | 水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺 真空吸附泵 |
軟件 | ETEM軟件: l 中英文界面可選; l 多個(gè)預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用; l 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合; l 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出 l 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持 |
注:(1)測量重復(fù)性:是指對標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測量25次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。
性能保證:
- 穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、先進(jìn)的采樣方法,保證了高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度
- 高精度的光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng),保證了快速、高精度的樣品方位對準(zhǔn)
- 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠的樣品方位對準(zhǔn),結(jié)合先進(jìn)的采樣技術(shù),保證了快速、穩(wěn)定測量
- 分立式的多入射角選擇,可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和厚度的測量
- 一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間
- 一鍵式軟件設(shè)計(jì)以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫,方便用戶使用
- 可選配件: NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標(biāo)片 NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標(biāo)片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 樣品池
欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html光譜橢偏儀來源網(wǎng)址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200098.htmlEM12 精致型多入射角激光橢偏儀型號:JX200092ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統(tǒng)
ETSys-Map-PV是針對高端薄膜太陽電池研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域中大面積樣品檢測專門設(shè)計(jì)的在線薄膜測量系統(tǒng)。 ETSys-Map-PV用于對1.4m * 1.1m及以上的大面積薄膜太陽電池樣品進(jìn)行在線檢測?蓽y量光滑平面或粗糙表面基底上的納米薄膜,包括單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k;并可同時(shí)測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k?蓽y量樣品上指定區(qū)域的樣品參數(shù)以及樣品表面的均一性分布。 ETSys-Map-PV融合量拓科技在高精度激光橢偏儀及光伏在太陽能電池領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面的經(jīng)驗(yàn),性能卓越。特點(diǎn):大面積絨面樣品上全表面測量可對大面積絨面薄膜太陽電池樣品上各點(diǎn)的性質(zhì)進(jìn)行分析和比較。先進(jìn)的光能量增強(qiáng)技術(shù)、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號處理方法,實(shí)現(xiàn)了對粗糙表面散射為主和極低反射率為特征的絨面太陽電池表面鍍層的高靈敏檢測。微米量級的全面積掃描精度先進(jìn)的系統(tǒng)設(shè)計(jì),能夠使探頭到達(dá)樣品上每個(gè)點(diǎn),掃描精度達(dá)到微米量級。原子層量級的膜厚分析精度采用非接觸、無破壞性的橢偏測量技術(shù),對納米薄膜達(dá)到極高的測量準(zhǔn)確度和靈敏度,膜厚測量靈敏度可達(dá)到0.05nm。簡單方便安全的儀器操作用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測量和分析過程,數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進(jìn)行高級測量設(shè)置。應(yīng)用: ETSys-Map-PV適合于高精度要求的薄膜太陽電池研發(fā)和質(zhì)量控制。 ETSys-Map-PV可用于測量大面積的薄膜太陽電池樣品上單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k; ETSys-Map-PV可用于測量塊狀材料的折射率n及消光系數(shù)k; ETSys-Map-PV可應(yīng)用于:大面積薄膜太陽電池基底的材料測量薄膜太陽電池玻璃基底上透明導(dǎo)電氧化物(TCO)鍍膜測量 技術(shù)指標(biāo):
項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
系統(tǒng)型號 | ETSys-Map-PV |
結(jié)構(gòu)類型 | 在線式 |
激光波長 | 632.8nm (He-Ne laser) |
膜厚測量重復(fù)性(1) | 0.05nm (對于Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率n精度(1) | 5x10-4 (對于Si基底上100nm的SiO2膜層) |
結(jié)構(gòu) | PSCA |
激光光束直徑 | ~1 mm |
入射角度 | 60°-75°可選 |
樣品放置 | 放置方式:水平 運(yùn)動(dòng):X軸單方向運(yùn)動(dòng) 運(yùn)動(dòng)范圍:>1.4m 三維平移調(diào)節(jié) 二維俯仰調(diào)節(jié) 可對樣品進(jìn)行掃描測量 |
樣品臺尺寸 | 1.4m*1.1m,并可定制。 |
測量速度 | 典型0.6s-4s /點(diǎn)(取決于樣品種類及測量設(shè)置) |
的膜層厚度測量范圍 | 光滑平面樣品:透明薄膜可達(dá)4000nm,吸收薄膜與材料性質(zhì)相關(guān) |
選配件 | 樣品監(jiān)視系統(tǒng) 自動(dòng)樣品上片系統(tǒng) |
注:(1)測量重復(fù)性:是指對標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測量25次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。性能保證高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、高精度的采樣方法以及低噪聲探測技術(shù),保證了系統(tǒng)的高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠的樣品方位對準(zhǔn),結(jié)合先進(jìn)的采樣技術(shù),保證了快速、穩(wěn)定測量一體化集成式的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高一鍵式軟件設(shè)計(jì)以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫,方便用戶使用 可選配件: NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標(biāo)片 NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標(biāo)片
欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html光譜橢偏儀來源網(wǎng)址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200092.htmlETSys-Map-PV在線薄膜測量系統(tǒng)
福州測量薄膜厚度儀器林州光譜型橢偏儀林州深受廣大客戶青睞多種型號圖片
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型號:JX200089EX3 自動(dòng)橢圓偏振測厚儀 | 型號:JX200098EM12 精致型多入射角激光橢偏儀 | 型號:JX200092ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統(tǒng) |
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